“올해 DS부문 매출, 2022년 수준으로 회복될 것”
반도체 업황 악화로 지난해 사상 최악의 적자를 기록한 삼성전자 반도체 부문이 향후 2∼3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다는 의지를 드러냈다.
경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)은 20일 경기 수원컨벤션센터에서 열린 제55기 주주총회에서 "2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한 지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것"이라며 이같이 밝혔다.
경 사장은 "기존 사업만으로는 장기적으로 반도체 1등을 유지할 수 없다"며 "연구개발(R&D) 투자를 통해 얻은 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자와 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환 구조를 구축할 것"이라고 말했다.
이 일환으로 반도체연구소는 양적·질적 측면에서 2배로 키울 방침이다. 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속해서 늘려 첨단기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 한다는 계획이다.
경 사장은 "삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 핀펫(FinFET), 게이트올어라운드(GAA) 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖춰 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획"이라고 강조했다. 이를 위해선 오는 2030년까지 기흥 R&D 단지에 총 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감한 투자를 단행할 방침이다.
경 사장은 삼성전자 DS부문의 매출이 2022년 수준으로 회복될 것으로 내다봤다. 올해 글로벌 반도체 시장은 전년 대비 크게 성장한 6300억 달러(한화 약 842조7510억원)를 기록할 것으로 예상되고 있다.
메모리의 경우 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 활용한 128기가바이트(㎇) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단을 쌓은 고대역폭 메모리(HBM)를 기반으로 HBM3와 HBM3E 시장의 주도권을 되찾는다는 계획이다. 경 사장은 "D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대와 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침"이라고 설명했다.
파운드리는 업계 최초 GAA 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고, 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 예정이다. 오토모티브와 RF 등 특수공정 완성도를 향상하는 등 고객 포트폴리오도 확대한다는 방침이다.
미래를 위한 다양한 신사업 청사진도 나왔다. 경 사장은 "어드밴스드 패키지 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억 달러 이상 매출을 올릴 것"이라며 "실리콘카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN) 등 차세대 전력 반도체와 증강현실(AR) 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 참여할 것"이라고 알렸다.
